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一种三维应变Si双极结型晶体管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种三维应变Si双极结型晶体管及其制备方法.pdf

    现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种三维应变Si双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的p型Si衬底、n+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体p型基区、SiGe应变外延层和n型集电区，第一方向为由衬底指向n型集电区的方向；鳍型半导体p型基区上设置有n型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiGe应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiGe应变外延层对鳍型半导体p型基区和n型集电区同时施加单轴拉应力。电子迁移率增加，减小

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838923 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111113232.4 H01L 21/331 (2006.01) (22)申请日

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