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本发明公开了一种一步法电化学制备钴单质‑石墨烯插层化合物的方法。该方法采用阳极电化学剥离法,首先将六硝基合钴阴离子插入石墨层后发生电化学反应,使得剥落的石墨颗粒悬浮在电解液中并逐渐迁移到阴极发生还原反应,最终将层内的钴离子还原成钴单质。相对于现有技术中的高电压激发等离子体的剥离方式,本发明采用双石墨片替代了贵金属极片,而且使用水系电解液,避免了有机溶剂和离子液体等昂贵的具有污染性的溶液的使用。本发明的酸性环境的电解液可以保持六硝基合钴酸钠阴离子稳定性;阴离子表明活性剂可以增强阴离子润湿性和分散性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113830755 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111076773.4
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 广西师范大学
地址
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