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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明公开了一种用于电化学传感器的分子印迹电极的制备方法，该方法基于还原氧化石墨烯rGO与Fe3O4@SiO2复合材料大的比表面积、好的电子传递性，引入分子印迹技术，以羟基化产物为模板分子，Fe3O4@SiO2‑rGO修饰的GCE为基底，采用电聚合的方法制备了能选择性识别羟基化产物的MIPs/Fe3O4@SiO2‑rGO/GCE电极；MIPs/Fe3O4@SiO2‑rGO/GCE电极与参比电极、对电极一起连接在电化学工作站上，以形成MIPs/Fe3O4@SiO2‑rGO/GCE分子印迹材料的电化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113834866 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111081405.9
(22)申请日 2021.
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