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制造半导体装置的方法.pdfVIP

制造半导体装置的方法.pdf

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    本公开描述一种制造半导体装置的方法，即形成具有控制掺杂的栅极介电层的半导体装置及形成具有不同阈值电压的多个装置的方法。方法包括在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成缓冲层，及在缓冲层上形成包括掺杂剂的掺杂剂来源层。栅极介电层在鳍片结构上包括界面层和在界面层上的高介电常数介电层。方法进一步包括利用掺杂剂掺杂高介电常数介电层邻近界面层的部分、去除掺杂剂来源层及缓冲层、在栅极介电层上形成掺杂剂牵引层，及通过掺杂剂牵引层调整栅极介电层中的掺杂剂。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823597 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110127162.1 (22)申请日 2021.01.29 (30)优先权数据

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