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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有经由绝缘膜形成在半导体基板上的用于二极管的硅膜，以及形成在硅膜的上层上的第一配线和第二配线。硅膜具有p型硅区域和多个n型硅区域，并且在平面图中多个n型硅区域中的每一个被p型硅区域包围。p型硅区域电连接到第一配线，并且多个n型硅区域电连接到第二配线。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823627 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110580665.4 (22)申请日 2021.05.26 (30)优先权数据 2020-1049

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