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一种包括等待时间设定电路的半导体存储器件包括：包括存储体的存储单元阵列；命令/地址缓冲器，其基于系统时钟来接收命令/地址；数据输入/输出电路，其基于数据时钟来输入/输出数据；模式控制电路，其根据突发长度信号和操作信息来产生指示不同等待时间的多个模式选择信号，该操作信息与基于数据时钟与系统时钟的比率而区分的第一操作模式和基于存储体模式而区分的第二操作模式有关；以及等待时间设定电路，其根据模式选择信号中的被激活的一个来设定等待时间，通过在写入操作期间根据系统时钟将写入命令至少延迟所设定的等待时间来产
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838496 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202110034298.8 G06F 3/06 (2006.01)
(22)申请日 20
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