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本发明提供了一种基于Nano‑LED应用的外延结构、芯片及制备方法，通过：所述图形化衬底包括通过隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起，所述凸起与对应隔离柱之间形成凹槽；形成于所述凹槽内并覆盖各所述凸起表面且通过所述隔离柱相互隔离的若干个外延叠层。从而，基于由隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起所构成的图形化衬底，可在各所述凸起表面形成相互隔离的若干个外延叠层，也即每个凸起形成一个独立的发光单元；进而可很好地实现发光单元的外延材料的应力释放，获得高质量的外延材料，使得小电流下的Nano‑LED芯片
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838952 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111036291.6
(22)申请日 2021.09.06
(71)申请人 厦门乾照半导体科技有限公司
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