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具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法.pdf

    本发明提供一种具有分离栅结构的RETIGBT器件结构及制作方法，通过在N型电荷存储层下方引入P型埋层，在P型埋层左侧引入N型埋层，消除了高浓度P型埋层对器件阈值电压的影响，电子电流可以通过N型埋层流入N型漂移区，不会影响器件的通态特性。本发明通过将栅电极分裂为上下两部分，上部分作为栅极，下部分与发射极连接，分离栅结构降低了米勒电容Cgc，进而降低了开关损耗。同时，分离栅底部的氧化层厚度可以进一步提高，或使用高介电常数的介质材料，可以改善沟槽底部电场集中，提升器件的可靠性。当器件关断时PMOS的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838914 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111116107.9 H01L 21/28 (2006.01)

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