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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明提出一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法，本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，改变了传统超结IGBT中P柱、P型基区和发射极之间的位置关系，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下P柱及P型基区对空穴的抽取作用，在不同N、P柱区掺杂浓度下，漂移区内均发生较强的电导调制效应，器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。同时P型浮空区的引入减小了器件的的台面宽度，进而提高了发射极一侧的载流子浓度，降低了导通压降。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838918 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111116215.6
(22)申请日 2021.09.23
(71)申请人 电子
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