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本发明公开了一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,旨在解决晶圆基座凸台加工不便,成本高的不足。晶圆基座表面上的凸台加工时,用胶膜粘贴在凸台位置,喷砂时,喷出的细砂撞击到胶膜上,胶膜对凸台位置起到了保护作用,不会喷到凸台表面而去除厚度形成喷砂层。晶圆基座加工面喷砂完成后,撕下胶膜。晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理后表面去除一定厚度,从而使晶圆基座上粘贴胶膜的部位凸出形成凸台。通过这种方式对晶圆基座表面的凸台进行加工,加工方便,不需要专用的设备进行加工,只需要用到现成的喷砂机即可,有利于降低加工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113829242 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111074307.2
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 杭州之芯半导体有限公司
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