1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

n-共掺杂的半导体基板.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.26万字
  • 约 20页
  • 2023-07-07 发布于四川
  • 举报

n-共掺杂的半导体基板.pdf

    一种制造第13族氮化物，特别是GaN的单晶半导体材料的方法，其包括以下步骤：通过三维外延生长在起始基板上沉积至少一个单晶层，所述层包括由基面生长产生的区域和由被称为非基面的不同取向的面生长产生的区域；供应n‑掺杂剂气体，所述n‑掺杂剂气体包含选自周期表第16族化学元素的第一化学元素和选自周期表第14族化学元素的至少一种第二化学元素，使得由基面生长产生的区域中第二元素的浓度高于1.0×1017/cm3，且由非基面生长产生的区域中第一元素的浓度低于2.0×1018/cm3。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113874981 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 201980091923.3 弗洛里安 ·唐迪耶　 (22)申请日 2019.1

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >