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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf

    提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层，虚设层的被多个集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比漏极层的第1方向上的宽度窄。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113875018 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 201980096756.1 (51)Int.Cl.

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