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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；在所述鳍部露出的所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁；在所述隔离层的顶部形成保护介质层；形成所述保护介质层后，形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁。本发明在鳍部露出的衬底上形成隔离层后，在形成伪栅结构之前，在所述隔离层的顶部形成保护介质层，当后续去除伪栅结构时，所述保护介质层能够起到保护所述隔离层的作用，从而降低所述隔离层受到损耗的概率，进而有利于减小对有效鳍部的高度

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871351 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202010613521.X (22)申请日 2020.06.30 (71)申请人 中芯

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