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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明公开了一种β‑Ga2O3薄膜的制备方法及β‑Ga2O3薄膜，该方法包括：选取具有一定偏角范围的偏角衬底；对所述偏角衬底进行退火处理；在所述偏角衬底上外延生长第一β‑Ga2O3层；采用脉冲式生长法在所述第一β‑Ga2O3层上外延生长第二β‑Ga2O3层，以得到β‑Ga2O3薄膜。本发明通过采用偏角衬底提高了外延薄膜平整度；同时配合脉冲式生长法极大地降低了薄膜表面的粗糙度，提升了β‑Ga2O3薄膜质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871303 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110939569.4
(22)申请日 2021.08.16
(71)申请人 西安电
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