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- 2023-07-07 发布于四川
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本申请的各实施例涉及集成带隙温度传感器。集成光子器件的绝对温度测量可以利用邻近光子器件的集成带隙温度传感器而被完成。在各种实施例中,光子器件的二极管结构内的有源区的温度利用集成带隙温度传感器而被测量,该集成带隙温度传感器包括一个或多个二极管结,该一个或多个二极管结在半导体器件层中在有源区下方或者横向邻近光子器件,或者在被形成在半导体器件层上方的二极管结构中并且邻近光子器件的二极管结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113865732 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202010993932.6
(22)申请日 2020.09.21
(30)优先权数据
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