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存储器装置及操作存储器装置之方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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存储器装置及操作存储器装置之方法.pdf

    本发明公开了一种存储器装置，包含阱、多晶硅层、侧壁、介电层、对齐层及主动区。该多晶硅层及该侧壁形成于该阱上方。该介电层形成且完全覆盖于该多晶硅层及该侧壁上方。该对齐层形成于该介电层上，用以接收对齐层电压及实质上于投影方向对齐于该介电层。该主动区形成于该阱上。该介电层比该对齐层厚。该多晶硅层及该主动区之第一重迭区域之面积，小于该第一多晶硅层及该介电层除该第一重迭区域之外的第二重迭区域之面积。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113870910 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110644577.6 (22)申请日 2021.06.09 (30)优先权数据 63/038,89

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