原创力文档- 10
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- 2023-07-07 发布于四川
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二极管由双栅PSJ‑GaN系FET构成。该FET具有GaN层11、AlxGa1‑xN层12、未掺杂的GaN层13和p型GaN层14。在AlxGa1‑xN层12上设置有源电极19和漏电极20，在p型GaN层14上设置有第一栅电极15，在设于槽16内部的栅极绝缘膜17上设置有第二栅电极18，所述槽16设置在源电极19和未掺杂的GaN层13之间的部分处的AlxGa1‑xN层12中。源电极19、第一栅电极15和第二栅电极18彼此连接，或者源电极19和第二栅电极18彼此连接、并且第一栅电极15被施加相对于
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113875015 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202080037000.2 (74)专利代理机构 中原信达知识产权代理有限
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