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本发明涉及半导体器件制备技术领域，公开了一种金属掩模板及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：S1，以金属片为原材料，将其置于聚焦离子束下；S2，在真空条件下，打开聚焦离子束获取所述金属片的图像，确定金属片需要掩模的坐标位置，并在聚焦离子束的操作主屏幕上根据实际需求画出预设的掩模形状；S3，根据所选金属片的厚度，调节聚焦离子束的束流大小，对掩模区域的金属片进行粗加工直到加工区域金属片切透得到预设掩模形状的孔，然后再调整聚焦离子束的束流大小对孔进行细加工，使孔的边缘平整度为10～30nm，即
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851377 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202111107087.9
(22)申请日 2021.09.22
(71)申请人 陕西科技大学
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