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使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案.pdf

    本发明题为“使用栅极诱生漏极泄漏生成的空穴预充电方案”。本文公开了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器串，该存储器串包括串联连接的第一选择晶体管、存储器单元晶体管和第二选择晶体管；位线，该位线连接至该第一选择晶体管的一个端部；源极线，该源极线连接至该第二选择晶体管的一个端部；第一选择线，该第一选择线连接至该第一选择晶体管的栅极；字线，该字线连接至该存储器单元晶体管的栅极；第二选择线，该第二选择线连接至该第二选择晶体管的栅极；和控制电路，该控制电路被配置为在编程操作之前执行预充电操作，该预充电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113870935 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110276241.9 G11C 7/18 (2006.01)

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