半导体装置及电子设备.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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提供一种功耗低的半导体装置。在具备设置于低电源电位一侧的第一晶体管及设置于高电源电位一侧的第二晶体管的共源共栅电路中,第二晶体管的栅极与第三晶体管的源极或漏极及电容连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的背栅极电连接。作为第三晶体管,使用OS晶体管。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113875152 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202080035144.4 (72)发明人 池田隆之 国武宽司 木村肇 

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