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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明揭示了一种图形化衬底、其制备方法及具有其的LED。所述制备方法包括步骤S1：提供一衬底；步骤S2：于衬底上进行第一次蚀刻，得到具有第一图案的凸起的第一图形化衬底；步骤S3：于第一图形化衬底的第一图案间C面相邻图形间底座间隙进行第二次蚀刻，得到具有第二图案的凹坑，形成具有第一图案及第二图案的第二图形化衬底。本发明二次蚀刻的倒图形化凹坑可以增加外延层在C面(相邻图形间底座间隙)上生长时间，应力得到释放，且倒图形化凹坑侧壁是非极性面，降低位错密度，提高其上生长外延层晶格质量；并且，还能增加光反射
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851565 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202111295833.1
(22)申请日 2021.11.03
(71)申请人 聚灿
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