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- 2023-07-07 发布于四川
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本申请涉及MLCC陶瓷晶粒分析领域，公开了一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法，用于分析陶瓷晶粒形貌及陶瓷烧结致密性，包括如下步骤：S1、准备设备：选用高带速运行最高可达180mm/min且升温速率最高可达到8000℃/h的快速烧结炉；S2、样品处理：沿样品的电极长轴或短轴方向切片；S3、样品升温：送样品进快速烧结炉并调节升温速率为3000~8000℃/min；S4、样品保温：在温度达到800~1300℃时保温1~60min；S5、样品降温：对完成S4步骤的样品进行降温，调节降温速率为30
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113848105 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202111430181.8 G01N 1/44 (2006.01)
(22)申请日 2
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