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具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法.pdf

    本发明公开了具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底、在所述GaAs衬底上依次生长的N型布拉格反射镜和谐振腔、设置在对应非出光区域的所述谐振腔表面的非氧化型电流限制层、设置在所述非氧化型电流限制层以及对应出光区域的所述谐振腔表面的第一P型布拉格反射镜、设置在所述第一P型布拉格反射镜表面的P接触层、设置在所述P接触层上的P电极以及设置在所述GaAs衬底下表面的N电极。本发明解决了高铝材料氧化后由于应力变化、热膨胀系数变化容易产生缺陷，从而造成芯片性能下

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113839308 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202111417176.3 (74)专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事

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