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形成氮化硅封装层的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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形成氮化硅封装层的方法.pdf

    本文描述的实施例总体上涉及处理基板的方法，包括将基板放置于处理腔室的处理容积中。所述基板包含具有多个特征的图案化表面。由穿过多层堆叠形成的一个或更多个开口来界定所述多个特征的各个特征，且所述多层堆叠包含含硫属元素材料。所述方法进一步包含使第一处理气体的脉冲流动进入处理容积。此处，第一处理气体包含硅前驱物和氮前驱物。所述方法进一步包含点燃并维持第一处理气体的等离子体。所述方法进一步包含将第一氮化硅层沉积至所述基板的所述图案化表面上。此外，所述方法包含在第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113874982 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202080038432.5 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公

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