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一种碲半导体薄膜红外探测器件.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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一种碲半导体薄膜红外探测器件.pdf

    本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极；电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置在电子传输层上；第二电极，设置在碲薄膜层上。本发明用于制作红外探测器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871508 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110959821.8 C23C 14/24 (2006.01)

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