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三维半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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三维半导体装置及其制造方法.pdf

    一种三维半导体装置包括：第一衬底、在第一衬底上的多个第一晶体管、在多个第一晶体管上的第二衬底、在第二衬底上的多个第二晶体管、以及电连接多个第一晶体管和多个第二晶体管的互连部分。多个第一晶体管中的每一个包括在第一衬底上并具有第一氢含量的第一栅极绝缘膜。多个第二晶体管中的每一个包括在第二衬底上并具有第二氢含量的第二栅极绝缘膜。第二氢含量大于第一氢含量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871398 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110651905.5 (22)申请日 2021.06.11 (30)优先权数据 10-2020-0

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