原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种半导体激光器，包括：衬底以及位于衬底一侧的半导体外延结构，外延结构和衬底之间电绝缘；半导体外延结构包括层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电流扩散层；第一半导体层位于衬底的一侧，有源层位于第一半导体层远离衬底的一侧，第二半导体层位于有源层远离衬底的一侧；电流扩散层设置在有源层远离衬底的一侧和有源层靠近衬底的一侧中的至少一侧；其中，电流扩散层中电流的扩散方向平行于衬底；电流扩散层包括多个间隔设置的高于第一预设掺杂浓度的第一掺杂子层。本发明实施例提供的方案可以提高电流扩散层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851927 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202111097963.4
(22)申请日 2021.09.18
(71)申请人 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
文档评论（0）