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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及半导体器件领域,提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层,还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层;所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成,所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层,大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113851466 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 202111436654.5 (74)专利代理机构 北京润平知识产权代理有限
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