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干燥多晶硅的方法及系统.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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干燥多晶硅的方法及系统.pdf

    本发明公开了干燥多晶硅的方法及系统。该方法包括：向多晶硅表面喷射超临界CO2，以便去除所述多晶硅表面残留的水分，所述喷射超临界CO2的过程包括先后进行的三个阶段，其中：第一阶段的喷射压力为1~3MPa，喷射时间为10~15min；第二阶段的喷射压力为3~5MPa，喷射时间为8~12min；第三阶段的喷射压力为4~6MPa，喷射时间为5~8min，所述第一阶段的喷射压力小于所述第二阶段的喷射压力，所述第二阶段的喷射压力小于所述第三阶段的喷射压力。该干燥多晶硅的方法不仅操作简单，且能在常温下进行，而

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113834315 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111416887.9 (22)申请日 2021.11.26 (71)申请人 江苏鑫华半导体材料科技有限公司

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