一种电容压力传感器及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-07 发布于四川
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一种电容压力传感器及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种电容压力传感器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有注入层；在所述注入层上依次形成氧化物层和顶硅层；刻蚀所述顶硅层以形成深槽矩阵；刻蚀所述氧化物层以形成空腔；使顶硅层形成连续的硅膜以封口所述空腔。本发明采用硅迁移技术进行封口，形成连续且封闭的上电极，并利用深槽做为空腔形成过程中的释放孔，工艺简单且效率更高，能够极大的提升产能和可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113845084 A (43)申请公布日 2021.12.28 (21)申请号 202010599056.9 (22)申请日 2020.06.28 (71)申请人无锡华润上华科技有限公司