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晶体管器件制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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晶体管器件制造方法.pdf

    本发明涉及晶体管器件制造方法，涉及半导体集成电路技术，在包括核心器件和输入输出器件的晶体管器件制造过程中，由场氧化层在半导体衬底上隔离出核心器件区域的有源区和输入输出器件区域的有源区，通过用掩膜层将核心器件区域的有源区显开，而在核心器件区域的有源区内形成栅极环绕的栅极结构，在输入输出器件区域的有源区内形成的鳍式栅极结构，如此可改善核心器件的短沟道效应，且输入输出器件的鳍式栅极结构的栅介质层的厚度不受栅极环绕的栅极结构的沟道线体之间的间距的影响，而使得在改善核心器件的短沟道效应的基础上输入输出器件

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871350 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202010610484.7 (22)申请日 2020.06.30 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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