半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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本发明提供一种半导体装置,其具备:半导体基板;掺杂浓度的多个峰,其设置在半导体基板的背面;平坦部,其在半导体基板的深度方向上设置在多个峰之间,并且具有半导体基板的基板浓度的2.5倍以上的掺杂浓度,多个峰中的至少一者为设置在比平坦部更靠正面侧的位置的第一峰,第一峰的掺杂浓度是平坦部的掺杂浓度的2倍以下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113875016 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202080038621.2 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限

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