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- 2023-07-07 发布于四川
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可用于相机芯片的光探测器传感器阵列器件包括半导体材料中，在由任一层或两个相反掺杂层制成的光吸收区任一侧的n+和p+半导体材料的上接触层和下接触层。介电材料的绝缘沟槽延伸通过这些层以形成单独的像素。各自的接触连接到上接触层和下接触层，使得每个像素可以被反向偏置或正向偏置。在操作中，该器件利用反向偏置重设置，然后切换到正向偏置以进行感测。切换后，响应于光子吸收生成的载流子积累在光吸收区的势阱中，从而降低了到接触层的势垒，导致电流在与入射光强度成反比的时间延迟后开始在接触之间流动。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113875008 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202080029263.9 马克西姆 ·谷列夫 丹尼斯 ·萨林
(22)申请日 2
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