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- 2023-07-07 发布于四川
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本公开提供一种温度不敏感的光接收器。器件可以包括：高掺杂n+Si区域；设置在所述n+Si区域的至少一部分上的本征硅倍增区域，所述本征硅倍增具有大约90nm至110nm的厚度；设置在所述本征硅倍增区域的至少一部分上的高掺杂p‑Si电荷区域，所述p‑Si电荷区域具有大约40nm至60nm的厚度；以及设置在所述p‑Si电荷区域的至少一部分上的p+Ge吸收区域；其中，所述p+Ge吸收区域在其整个厚度上被掺杂。所述n+Si区域的厚度可以为大约100nm，并且所述p‑Si电荷区域的厚度可以为大约50nm。所
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113871498 B
(45)授权公告日 2023.03.31
(21)申请号 202110406329.8 (51)Int.Cl .
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