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- 2023-07-08 发布于四川
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本发明公开了一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质。方法包括：获取胶膜层的介质损耗因子，在胶膜层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第一电路板前体，利用第一电路板前体制作第一微带线，并测量第一微带线的插损，将第一微带线的插损和胶膜层的介质损耗因子代入粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度，基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型，由于等效粗糙度用于表征粗糙度和表面处理对插损的影响，从而基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型能够对金属箔表面的插损影响进行精确描述，提高插损计
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116401859 A
(43)申请公布日 2023.07.07
(21)申请号 202310341613.0
(22)申请日 2023.03.31
(71)申请人 安捷利（番禺）电
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