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一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法,本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高,色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法:一、清洗;二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜,复合金属膜呈间隔的条纹状;三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内,启动微波发生器,升高气压和功率,使金刚石表面温度达到700~1000℃,通入甲烷和掺杂元素气体,进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案,通过CVD原位沉积横向外延生长,工艺流程简单,制备得
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115044973 A
(43)申请公布日 2022.09.13
(21)申请号 202210673216.9
(22)申请日 2022.06.14
(71)申请人 哈尔滨工业大学
地址 150001
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