一种复合型TMBS器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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一种复合型TMBS器件及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种复合型TMBS器件结构，它包括作为基片的第一导电类型浓掺衬底；在第一导电类型的浓掺衬底上设置有第一导电类型的轻掺杂外延层；在第一导电类型的轻掺杂外延层上刻蚀形成一定间距的硅沟槽阵列，在硅沟槽的下半部分硅内侧壁上形成一定厚度的SiO2层，硅沟槽的上半部分外侧壁形成一薄层的第二导电类型的浓掺杂区；在整个硅沟槽填充满第二导电类型的浓掺杂Poly，Poly顶部表面与外延层表面齐平；在外延层和硅沟槽填充的Poly表面设置有形成肖特基结的肖特基势垒层；在肖特基势垒层上设置有作为电极金属的金属层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108470719 A (43)申请公布日 2018.08.31 (21)申请号 20181