原创力文档- 1、本文档共13页，其中可免费阅读12页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种双沟槽型窄边缘耐高压硅PIN辐射探测器及其制备方法。通过在高阻半导体硅片的正面和背面的边缘处各刻蚀一个沟槽，两个沟槽表面以及硅片的整个背面掺杂形成高浓度N+区，采用多晶硅填充正面和背面的沟槽，在硅片正面通过离子注入形成主结P+区和保护环P+区。本发明在探测器边缘设计了双沟槽结构，完全屏蔽了划片切割操作引入的边缘缺陷对探测器灵敏区的影响，减小了探测器的漏电流，提高了探测器的收集效率；通过扩散工艺在沟槽的表面形成高浓度的N+区，减小了沟槽附近的漏电流；并且通过正面的保护环结构，提高了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871509 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111086164.7
(22)申请日 2021.09.16
(71)申请人 北京大学
地址 10
文档评论（0）