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2023-07-08 发布于四川
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一种调节IGBT开通和关断损耗比例的新型结构.pdf

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本申请公开了一种调节IGBT开通和关断损耗比例的新型结构，包括第一接地沟槽、第一门极沟槽、发射极接触、第二门极沟槽及第二接地沟槽；第一接地沟槽和第一门极沟槽之间有第一无源台面，第一无源台面上设有发射极接触；第一门极沟槽和第二门极沟槽之间有源台面，有源台面还设有发射极接触；第二门极沟槽和第二接地沟槽之间设有第二无源台面，第二无源台面上设有发射极接触；在第一无源台面和第二无源台面的发射极接触被分隔成第一P阱和第二P阱，第一P阱和第二P阱之间通过高阻通路联通，第一P阱或第二P阱其中一个的第一侧通过氧化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871470 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111088813.7 (22)申请日 2021.09.16 (71)申请人上海擎茂微电子科技有限公司

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