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一种垂直双极性结型晶体管及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-08 发布于四川
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一种垂直双极性结型晶体管及其制作方法.pdf

    本发明提供一种垂直型双极性结型晶体管及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底，基底包括自下而上依次层叠的衬底层、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层，将器件层转变为绝缘介质层，形成第一、第二沟槽于绝缘介质层中，形成第三、第四沟槽于第二绝缘层中，形成第一、第二隔离带于中间层中，掺杂得到中间层功能区，形成第一、第二集电区，形成发射区及基区。本发明的制作方法起始于双绝缘层基底，例如可以是双绝缘层上硅晶圆，通过合理分布基区、集电区及发射区，解决了全耗尽SOI垂直双极性结型晶体管集成的问题。本发明的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116403902 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310674064.9 (22)申请日 2023.06.08 (71)申请人 微龛 （广州）半

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