半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件功耗大的问题，该半导体结构包括衬底，衬底包括多个间隔设置的有源区；有源区中具有源极和漏极，源极和漏极之间具有栅极，栅极下方有沟道区；源极和漏极均包括掺杂区，源极的掺杂区和漏极的掺杂区沿栅极的中轴线对称设置；各掺杂区包括第一子掺杂区、第二子掺杂区和第三子掺杂区，第一子掺杂区、第二子掺杂区和第三子掺杂区由顶部至底部依次设置，第三子掺杂区靠近沟道区的一端向第一子掺杂区延伸并与第一子掺杂区连接；其中，第一子掺杂区和第三子掺杂区的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116404031 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310417511.2 (22)申请日 2023.04.13 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23