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- 2023-07-08 发布于四川
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半导体器件及其制造方法。一种半导体器件和制造方法，该半导体器件包括：阱结构；栅极层叠结构，所述栅极层叠结构与所述阱结构间隔开，所述栅极层叠结构被设置在所述阱结构上方；以及源极接触结构，所述源极接触结构面向所述栅极层叠结构的侧壁。所述半导体器件还包括沟道图案，所述沟道图案包括：柱状部，所述柱状部穿透所述栅极层叠结构；第一连接部，所述第一连接部从所述柱状部起沿着所述栅极层叠结构的底表面延伸；以及第二连接部，所述第二连接部从所述第一连接部延伸，以与所述源极接触结构的面向所述阱结构的第一表面接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110349969 A
(43)申请公布日
2019.10.18
(21)申请号 20181
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