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2023-07-08 发布于四川
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分栅快闪存储器件及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种分栅快闪存储器件及其制备方法，包括：衬底，包括功能区、第一连接区及第二连接区，若干沿第一方向排布的字线栅线，位于所述衬底上；若干沿第一方向排布的栅极线组，位于所述衬底上，且每个所述栅极线组包括两条浮栅线和两条控制栅线；若干沿第一方向排布的擦除栅线，位于所述衬底上，每条所述擦除栅线包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第二连接区中且沿所述第一方向与相邻的两条所述控制栅线电性连接；若干沿第一方向排布的源极线，位于所述擦除栅线的下方的衬底内；若干第一电连接件和第二电连接件，所述第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871388 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111149739.5 (22)申请日 2021.09.29 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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