HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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HEMT器件及其制备方法.pdf

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本申请提供一种HEMT器件及其制备方法，涉及电路技术领域，其中，该HEMT器件包括衬底层、缓冲层、第一沟道层、第二沟道层、势垒层和半导体层，第二沟道层与势垒层形成沿第一沟道层的长度方向延伸的鳍形NMOS半导体结构，半导体层包括：形成在第一沟道层表面的第一PMOS半导体层和第二PMOS半导体层；第一PMOS半导体层和第二PMOS半导体层分别设在鳍形NMOS半导体结构的两侧。本申请提供的技术方案可以提高PMOS器件的输出电流。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116404040 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310227615.7 (22)申请日 2023.03.09 (71)申请人天狼芯半导体（成都）有限公司地址