一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法.pdfVIP

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2023-07-12 发布于四川
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一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法.pdf

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本申请涉及一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中反应设备包括反应室、第一盖板、进气组件和匀流板。其中反应室内形成反应腔，用于承载待反应物，反应室包括相对设置的第一端和第二端。第一盖板盖设于第一端。进气组件设置于第一盖板，进气组件与反应腔连通。匀流板设置于第一盖板和反应室之间。第一盖板与匀流板的排列方向和待反应物的垂直轴线相互垂直，匀流板朝向第一盖板一侧壁面呈隆起设置，第一盖板朝向匀流板一侧壁面呈凹陷设置。该结构的设置使得反应源在进入反应室的过程中扩散更加均匀，以使得待反应物上的反应源的分

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116411343 A (43)申请公布日 2023.07.11 (21)申请号 202310689192.0 (22)申请日 2023.06.12 (71)申请人江苏微导纳米科技股份有限公司地址