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本发明的实施例提供了一种芯片封装方法、芯片封装模块和内埋衬底式芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，首先利用载具，在载具上形成第一塑封层，并在第一塑封层中形成第一导电柱，第一导电柱的顶端形成有凸台，然后通过微刻蚀工艺，对凸台进行刻蚀，能够在局部刻蚀凸台后，在凸台和第一导电柱之间形成止挡环，然后在贴装凹槽中贴装第一芯片，第一芯片为倒装结构。相较于现有技术，本发明通过微蚀刻形成止挡环，可以利用止挡环作为研磨中的停止层，从而能够通过自身结构确定研磨高度，避免研磨过程中造成过度研磨，保护芯片安全，提升器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116417356 A
(43)申请公布日 2023.07.11
(21)申请号 202310685756.3
(22)申请日 2023.06.12
(71)申请人 甬矽半导体（宁波）有限公司
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