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本发明提供一种集成电路存储器及其形成方法、半导体器件，所述方法包括在基底上形成第一间隔材料层，并刻蚀形成多个第一开口，每一第一开口暴露出两个相邻的位线接触区以及两个位线接触区之间的字线，形成阻挡层在第一开口的底部及侧壁，并部分填充导电层在第一开口内以形成第二开口，填充绝缘材料层在第二开口内，并刻蚀形成第三开口，以剩余的绝缘层为掩膜刻蚀导电层和阻挡层，形成暴露字线的通孔，填充第二间隔材料层在通孔内，形成多条位线，位线包括导电层及阻挡层，导电层的底部经由阻挡层与位线接触电性连接，阻挡层还延伸覆盖于导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108520876 A
(43)申请公布日
2018.09.11
(21)申请号 20181
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