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- 2023-07-13 发布于四川
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本实用新型提供了一种用于3D芯片的芯片模块、芯片组件和3D芯片,其中,芯片模块包括:衬底层;金属层,所述金属层包括相对设置的第一表面和第二表面,所述金属层的所述第二表面设置在所述衬底层上;金属层穿孔组件,设置在所述金属层内,所述金属层穿孔组件包括:第一导体件、第二导体件和导体连接孔,所述第一导体件形成于所述金属层的第一表面,所述第二导体件形成于所述金属层的第二表面,所述导体连接孔形成于所述金属层内。该芯片模块降低了刻蚀的工艺难度,降低了占用金属层的面积,降低了电阻寄生参数和电容寄生参数,缩短了芯
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214176025 U
(45)授权公告日 2021.09.10
(21)申请号 202120258342.9
(22)申请日 2021.01.29
(73)专利权人 西
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