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- 2023-07-13 发布于四川
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本申请实施例提供了一种芯片模块和3D芯片,其中,芯片模块包括:衬底层;金属层,所述金属层包括相对设置的第一表面和第二表面,所述金属层的所述第二表面设置在所述衬底层上;金属层穿孔组件,设置在所述金属层内,所述金属层穿孔组件包括:第一导体件、第二导体件和导体连接孔,所述第一导体件形成于所述金属层的所述第一表面,所述第二导体件形成于所述金属层的所述第二表面,所述导体连接孔形成于所述金属层内,所述第二导体件通过所述导体连接孔连接于所述第一导体件。该芯片模块降低了刻蚀的工艺难度,降低了占用金属层的面积,降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214176024 U
(45)授权公告日 2021.09.10
(21)申请号 202120258326.X
(22)申请日 2021.01.29
(73)专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司
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