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- 2023-07-14 发布于四川
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本实用新型涉及半导体材料技术领域，公开了一种提高均匀性的研磨盘，包括均为环形结构的上研磨盘、下研磨盘和研磨槽，上研磨盘分为上层结构和下层结构，上层结构和下层结构均分为四个相同的扇形结构，上层结构中的每个扇形结构有多个导入通道，下层结构中的扇形结构在第一同心圆沟槽上均设有固定间距的多个第一竖直沟槽且第一竖直沟槽与第一同心圆沟槽配合形成覆盖整个下层结构的第一网格沟槽，相邻的两个扇形结构中的第一竖直沟槽排列角度垂直，下研磨盘从内圈一定位置处到外圈均匀设有若干个第二同心圆沟槽，下研磨盘上设有固定角度的多
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214186726 U
(45)授权公告日 2021.09.14
(21)申请号 202022674355.2
(22)申请日 2020.11.18
(73)专利权人 威
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